M.Sc. Alexander Haag

Für aufkommende Satellitenanwendungen im Millimeterwellenfrequenzbereich (z.B. im Ka Band) werden auch bei höheren Frequenzen effiziente Leistungsverstärker benötigt. Einerseits ist die zu Verfügung stehende Energie begrenzt, andererseits wird bei geringer Effizienz viel elektrische Leistung in Wärme umgesetzt und muss mühsam abgeführt werden. Bisher werden diese Komponenten daher meistens in III-V-Halbleitertechnologien (wie GaAs oder GaN) hergestellt. In dieser Arbeit sollen Leistungsverstärker mit hoher power-added-efficiency (PAE) in einer für Spaceanwendungen zertifizierten Siliziumgermanium (SiGe) BiCMOS Technologie untersucht werden. Die Optimierung der Effizienz soll mit einer Betrachtung der Linearität einhergehen.

Die Arbeit ist in Kooperation mit der Firma TESAT Spacecom angedacht und kann auch extern durchgeführt werden.